Close Menu
    What's Hot

    تتضافر جهود DXC Engineering وLOXO لتسريع نشر المركبات التجارية ذاتية القيادة على نطاق مؤسسي

    سبتمبر 17, 2026

    رئيس الدولة ورئيس السنغال يبحثان تعزيز التعاون

    سبتمبر 17, 2026

    كلوب هاواي @ بحرين سيرف بارك يبلغ مرحلة مهمة في الإنشاءات وينتهي من ملء بحيرة الأمواج

    سبتمبر 17, 2026
    فيسبوك X (Twitter) الانستغرام
    أخبار شائعة
    • تتضافر جهود DXC Engineering وLOXO لتسريع نشر المركبات التجارية ذاتية القيادة على نطاق مؤسسي
    • رئيس الدولة ورئيس السنغال يبحثان تعزيز التعاون
    • كلوب هاواي @ بحرين سيرف بارك يبلغ مرحلة مهمة في الإنشاءات وينتهي من ملء بحيرة الأمواج
    • يقترح أحدث تقرير لهواوي 10 اتجاهات رئيسية نحو العالم الذكي 2035
    • شركة HiTHIUM تطلق حلًا متكاملًا من الجيل التالي لتخزين الطاقة باستخدام أيونات الصوديوم لتسريع التحول الصناعي إلى أيونات الصوديوم
    • مهرجان Amos الدولي للحلوى 2026 يحتفي بابتكارات حلوة لتعزيز السعادة والصحة
    • تستكمل D‑Robotics جولة تمويل من السلسلة C بقيمة 400 مليون دولار، ما يدفع صناعة الروبوتات نحو طفرة جديدة في فئات المنتجات
    • تعزز بيهايف وتأجير للتمويل إتاحة التمويل للمؤسسات الصغيرة والمتوسطة في أنحاء عُمان
    • الصفحة الرئيسية
    • إتصل بنا
    مجرى الأخبار – Majra Alakhbarمجرى الأخبار – Majra Alakhbar
    الخميس, سبتمبر 17
    • أخبار
    • اقتصاد
    • تكنولوجيا
    • ثقافة
    • رياضة
    • ساعات
    • سياحة
    • سيارات
    • صحة
    • منوعات
    مجرى الأخبار – Majra Alakhbarمجرى الأخبار – Majra Alakhbar
    الصفحة الرئيسية » Innodisk تطلق وحدة ذاكرة DDR5 عالية السرعة بسرعة 12800 MT/s من طراز MRDIMM لدعم أعباء عمل الذكاء الاصطناعي

    Innodisk تطلق وحدة ذاكرة DDR5 عالية السرعة بسرعة 12800 MT/s من طراز MRDIMM لدعم أعباء عمل الذكاء الاصطناعي

    يوليو 31, 2026 PR Newswire

    تايبيه, 31 يوليو / تموز 2026 /PRNewswire/ –– تُطلق Innodisk، وهي مزوّد عالمي رائد لحلول الذكاء الاصطناعي، وحدة ذاكرة DDR5 12800 MT/s من طراز MRDIMM لدعم النمو السريع في مجال الذكاء الاصطناعي التوليدي والنماذج اللغوية الكبيرة (LLMs) وتطبيقات الروبوتات. بمعدل نقل بيانات رائد في القطاع يبلغ 12800 MT/s، توفر وحدة الذاكرة المتقدمة هذه كفاءة استثنائية في استغلال النطاق الترددي وقابلية عالية للتوسع، لتلبية متطلبات المعالجة المتزايدة للابتكارات القائمة على الذكاء الاصطناعي.

    Innodisk introduces the DDR5 12800 MT/s MRDIMM to support the rapid growth of generative AI, large language models (LLMs), and robotics applications.

    تجاوز جدار الذاكرة ببنية متقدمة

    كشف التعقيد المتزايد لأعباء عمل الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء (HPC) عن قصور معماريات الذاكرة التقليدية، وهي المشكلة التي يُشار إليها غالباً باسم «جدار الذاكرة»، أي اختناق لا يواكب فيه النطاق الترددي للذاكرة سرعات المعالجة، مما يؤدي إلى انخفاض الكفاءة. تتغلب وحدة ذاكرة DDR5 12800 MT/s من طراز MRDIMM على هذا التحدي بفضل بنيتها المبتكرة التي تضم مشغّل ساعة التسجيل متعدد الإرسال (MRCD) ومخزن البيانات متعدد الإرسال (MDB). تتيح هذه البنية الرائدة الوصول المتزامن إلى رتبتين من الذاكرة، فتزيد النطاق الترددي بنسبة 60% مقارنةً بوحدات RDIMM التقليدية من نوع DDR5 بسرعة 8000 MT/s، مما يحسّن بصورة ملحوظة سرعات نقل البيانات وكفاءة الحوسبة. تخفف هذه الوحدة العبء عن وحدة التحكم بالذاكرة وتخفض زمن الاستجابة، مما يعزز تدريب نماذج الذكاء الاصطناعي ويُحسّن أداء النماذج اللغوية الكبيرة (LLMs) وتطبيقات الأتمتة الروبوتية.

    مهيّأة لأعباء عمل الذكاء الاصطناعي ولأعباء العمل كثيفة البيانات

    تتطلب أعباء عمل الذكاء الاصطناعي حلول ذاكرة أسرع وأكثر كفاءة. تزيل وحدة ذاكرة DDR5 12800 MT/s من طراز MRDIMM اختناقات الذاكرة، بما يضمن ألا يحدّ بطء الوصول إلى الذاكرة من سرعات وحدة المعالجة المركزية (CPU) ووحدة معالجة الرسومات (GPU). تحسن بنيتها عالية السرعة معالجة البيانات القائمة على الرموز، مما يعزز كفاءة الحوسبة لنماذج الذكاء الاصطناعي من دون الحاجة إلى تعديلات كبيرة على الأجهزة.

    تصميم موثوق وقابل للتوسع وموفر للطاقة

    صُممت وحدة ذاكرة DDR5 12800 MT/s من طراز MRDIMM للتكامل السلس، وهي متوافقة تماماً مع فتحات DDR5 القياسية لوحدات RDIMM، مما يجعل ترقية الأنظمة سهلة. يتضمن تصميمها المدمج والمتين تقنيات MDB وMRCD وeFuse وTVS لضمان نقل مستقر للبيانات والحماية من ارتفاعات الجهد المفاجئة. فضلاً عن ذلك، يقلل تصميمها الموفر للطاقة من استهلاك الطاقة ويدعم أهداف الاستدامة لمراكز البيانات الحديثة.

    ستتوفر وحدة ذاكرة DDR5 12800 من طراز MRDIMM في الربع الرابع من عام 2026، بسعات تتراوح بين 32GB و128GB لتلبية متطلبات التطبيقات المتنوعة.

    من خلال هذا الابتكار الأحدث، تواصل Innodisk الارتقاء بأداء الذاكرة وتزوّد قطاعات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء بالسرعة والكفاءة والموثوقية اللازمة للحوسبة من الجيل التالي.

    لمزيد من المعلومات، يُرجى زيارة https://www.innodisk.com/en/index

    الصورة: https://mma.prnewswire.com/media/3008399/Press_Photo_Innodisk_DDR5_MRDIMM_12800.jpg

    Cision View original content:https://www.prnewswire.com/ae/ar/news-releases/u0069u006Eu006Eu006Fu0064u0069u0073u006Bu002Du062Au0637u0644u0642u002Du0648u062Du062Fu0629u002Du0630u0627u0643u0631u0629u002Du0064u0064u0072-302839752.html

    تابع القراءة

    تتضافر جهود DXC Engineering وLOXO لتسريع نشر المركبات التجارية ذاتية القيادة على نطاق مؤسسي

    كلوب هاواي @ بحرين سيرف بارك يبلغ مرحلة مهمة في الإنشاءات وينتهي من ملء بحيرة الأمواج

    يقترح أحدث تقرير لهواوي 10 اتجاهات رئيسية نحو العالم الذكي 2035

    شركة HiTHIUM تطلق حلًا متكاملًا من الجيل التالي لتخزين الطاقة باستخدام أيونات الصوديوم لتسريع التحول الصناعي إلى أيونات الصوديوم

    مهرجان Amos الدولي للحلوى 2026 يحتفي بابتكارات حلوة لتعزيز السعادة والصحة

    تعزز بيهايف وتأجير للتمويل إتاحة التمويل للمؤسسات الصغيرة والمتوسطة في أنحاء عُمان

    أحدث المقالات

    رئيس الدولة ورئيس السنغال يبحثان تعزيز التعاون

    سبتمبر 17, 2026

    محمد بن زايد يستقبل ملك الأردن في أبوظبي

    سبتمبر 14, 2026

    الإمارات تستثمر 40 مليار يورو في ألمانيا

    سبتمبر 11, 2026

    احتياطات مصر الأجنبية ترتفع لمستوى قياسي فوق 57 مليار دولار

    سبتمبر 9, 2026

    فرسان الإمارات تشارك في عرض جوي مبهر بمدينة العلمين

    سبتمبر 8, 2026

    خالد بن محمد بن زايد يترأس اجتماعاً للجنة التنفيذية لأدنوك

    سبتمبر 7, 2026

    الحكومة البرازيلية تلوّح بالرد على القيود التجارية الأوروبية

    سبتمبر 4, 2026

    الإمارات تطور مجالات الذكاء الاصطناعي بالتعاون مع إي إم دي

    سبتمبر 2, 2026
    © 2022 مجرى الأخبار | كل الحقوق محفوظة
    • الصفحة الرئيسية
    • إتصل بنا

    اكتب كلمة البحث ثم اضغط على زر Enter